SOI晶片我国的SOI

2008年12月，上海新傲科技有限公司在自主研发平台上，成功实现了我国历史性的突破，制备出了第一片8英寸键合SOI晶片。这一成就标志着我国在SOI晶片制备技术领域迈出了重要一步。

在此之前，该研究团队在国内首条高端硅基集成电路材料SOI晶圆片生产线上的贡献，使我国4至6英寸SOI材料实现了产业化，解决了长期存在的SOI材料供应难题，从而荣获国家科技进步奖一等奖。然而，面对集成电路技术向大直径晶圆片的转型，他们并未止步，而是主动迎接挑战，设立了攻关8英寸大直径SOI晶圆片的研发课题。

在开发过程中，团队面临设备条件不足的困难，但他们通过创新，突破了关键技术。他们改良了现有设备，实现了8英寸硅片的旋转式单片清洗工艺；自主研发了大尺寸晶片键合平台，成功完成了8英寸晶片的键合，并实现了对键合过程和质量的实时监控。设备升级后，他们强化了键合晶片的处理；经过反复实验，精细调整了研磨工艺，优化了粗磨和精磨工艺参数，找到了最优的研磨方案。最后，他们在原有抛光工艺的基础上，优化了抛光浆料配比，成功实现了8英寸SOI晶片的精细抛光处理。